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用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途

摘要

提供了用于形成例如MoS2、WS2、MoSe2和WSe2薄膜等含Mo和W薄膜的方法。还提供了用于合成Mo或Wβ‑二酮化物前体的方法。另外,提供了用于形成含有Mo或W的2D材料的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN107923039B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASM IP 控股有限公司;

    申请/专利号CN201680029962.7

  • 申请日2016-05-24

  • 分类号C23C16/22(20060101);H01L21/02(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人王永伟;赵蓉民

  • 地址 荷兰阿尔梅勒

  • 入库时间 2022-08-23 12:03:20

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