一种具有高读噪声容限的SRAM存储单元电路

摘要

一种具有高读噪声容限的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的栅极和字线，其漏极作为共享传输端，其源极连接第二PMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管和第六NMOS管的栅极以及第一PMOS管和第三NMOS管的漏极；第二NMOS管的漏极连接位线，其源极连接第一PMOS管和第五NMOS管的栅极以及第三PMOS管和第六NMOS管的漏极；第二PMOS管的源极连接第一PMOS管的源极并连接电源电压，其漏极连接第三NMOS管的栅极、第三PMOS管的源极和第四NMOS管的漏极；第五NMOS管的漏极连接第三NMOS管的源极，其源极连接第四NMOS管和第六NMOS管的源极并接地。本发明具有较高的读噪声容限，能够解决半选问题，用于位交错阵列结构中可以改善存储器的软错误率问题。