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一种超低场双平面核磁共振常导主磁体及其构建方法

摘要

本发明公开了一种超低场双平面核磁共振常导主磁体及其构建方法,通过轴线方向对称设置一组正八边形线圈,一组正八边形线圈包括外环的大正八边形线圈和内环的小正八边形线圈,且小正八边形线圈设置在大正八边形线圈的宽度范围内,从而使得一组正八边形线圈内的小正八边形线圈和大正八边形线圈处于同一平面上。本发明能在更低成本下获得更大的磁极间距,并使得磁场波动小于100ppm的磁场均匀区域更大。

著录项

  • 公开/公告号CN110501663B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201910904021.9

  • 申请日2019-09-24

  • 分类号G01R33/381(20060101);G01R33/385(20060101);

  • 代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆丽莉;何梅生

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2022-08-23 11:55:29

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