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公开/公告号CN111326840B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;
申请/专利号CN202010082493.3
发明设计人 吴永乐;潘镭丹;王卫民;杨雨豪;魏一文;吴昊鹏;马莉;
申请日2020-02-07
分类号H01P3/02(20060101);H01P3/08(20060101);H01P3/18(20060101);
代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李欣;马敬
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号
入库时间 2022-08-23 11:41:26
机译: 电测量型表面等离子体激元共振传感器,电测量型表面等离子体激元传感器芯片以及表面等离子体激元变化检测方法
机译: 表面等离子体激元产生装置的制造方法以及采用该表面等离子体激元产生装置的光学装置
机译:基于基片集成波导-欺骗表面等离子体激元极化结构的广角窄带漏波天线
机译:共振隧穿效应形成的混合基片集成波导与欺骗表面等离子体激元-极化单层双带通滤波器
机译:基于半模基片集成波导的微波表面等离子体激元样传感器,用于高灵敏度介电常数检测
机译:基片集成波导激发的有效局部表面等离子体激元谐振器
机译:探索基于光栅的表面等离子体激元共振系统,以进行波矢量匹配,以增强等离子体激元模式和初步的表面等离子体激元增强的荧光询问。
机译:半间隔基片集成的基于仿造表面等离子体激元极化子的传输线
机译:硅领结天线中局部表面等离子体激元共振的超快主动控制
机译:主题2量子计算纳米结构表面等离子体激元谐振器;最终报告2004年4月1日至2006年9月30日