公开/公告号CN107359113B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉光谷量子技术有限公司;
申请/专利号CN201710631297.5
申请日2017-07-28
分类号H01L21/3065(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张凯
地址 430070 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号A5-1
入库时间 2022-08-23 11:39:17
机译: InP材料的优先刻蚀外延剥离
机译: 一种制备光电子半导体器件的方法,其中刻蚀具有gaas的最上层和包含在sicl4和ar中产生的等离子体的下层inp层的半导体本体
机译: 刻蚀组合物,特别是硅材料的刻蚀组合物,一种表征这种材料表面缺陷的方法,以及用该刻蚀组合物处理此类表面的过程