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公开/公告号CN110335794B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 北京控制工程研究所;
申请/专利号CN201910440186.5
发明设计人 毛威;扈延林;沈岩;胡大为;吴朋安;山世华;臧娟伟;李胜军;吴耀武;杨健;陈君;李栋;耿金越;魏福智;田海龙;
申请日2019-05-24
分类号H01J1/02(20060101);H01J1/88(20060101);
代理机构11009 中国航天科技专利中心;
代理人张晓飞
地址 100080 北京市海淀区北京2729信箱
入库时间 2022-08-23 11:38:59
机译: 六硼化镧微粒,六硼化镧微粒,六硼化镧烧结体,六硼化镧膜的制造方法以及有机半导体装置
机译: 具有与六溴化镧相同结构的六硼化镧或六硼化硼的烧结方法
机译: 六硼化镧烧结体,靶和六硼化镧薄膜各自包括其,以及制备该烧结体的方法
机译:含有硼化钼,二硼化钼,二硼化锆,六硼化g和六硼化钕的六硼化镧三元体系的热电子发射和汽化行为
机译:大功率霍尔推力器用六硼化镧空心阴极的寿命评估
机译:五千瓦级霍尔推力器的六硼化镧空心阴极的实验表征
机译:低电流六硼化铈和六硼化镧空心阴极
机译:氩气对六硼化镧空心阴极的操作
机译:调整六硼化镧的表面等离子体共振以吸收太阳热:综述
机译:发散和表征的发散的尖头场推进器和六硼化镧空心阴极
机译:时间分辨Langmuir探测新型六硼化镧(LaB6)空心阴极。