法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 授权公告日:20081126 申请日:20040423
专利权的终止
2008-11-26
授权
授权
2006-02-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-12-01
公开
公开
机译: 具有自旋扭矩传递磁性随机存取存储器(STT-MRAM)的集成电路的制造方法,该存储器包括沿STT-MRAM的磁性隧道结的侧壁形成的钝化层
机译: 组件例如绝缘体上硅的成分,制造方法高速处理器制造,包括将硅晶片上的单晶硅靶粉碎,在晶片上形成氧化层以形成绝缘层
机译: 在晶圆制造整个表面上形成均匀氧化层的半导体制造过程中形成抗反射层的方法