首页> 中国专利> 用于低损坏率和高处理量等离子体处理的大面积VHF PECVD腔室

用于低损坏率和高处理量等离子体处理的大面积VHF PECVD腔室

摘要

本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器,所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。

著录项

  • 公开/公告号CN109690728B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201780055121.8

  • 申请日2017-07-31

  • 分类号H01J37/32(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国;赵静

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:02

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号