在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件

摘要

本发明涉及在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件。一种功率半导体器件，具有半导体本体，所述半导体本体被配置为在第一负载端子与第二负载端子之间传导负载电流，包括：源极区，其具有第一导电类型的掺杂剂并被电连接到所述第一负载端子；半导体沟道区，其在所述半导体本体中实施并具有第二导电类型的掺杂剂，并且将所述源极区与所述半导体本体的剩余部分分离；第一沟槽类型的沟槽，其在所述半导体本体中沿着延伸方向延伸并被布置为邻近所述半导体沟道区，第一沟槽类型的所述沟槽包括通过绝缘体与所述半导体本体绝缘的控制电极，其中所述控制电极被配置为对所述半导体沟道区中的负载电流的路径进行控制。