MOCVD法超低温制备高电导率、绒面未掺杂ZnO薄膜

摘要

一种MOCVD技术超低温制备高电导率、绒面未掺杂ZnO薄膜的方法。首先利用电子束蒸发技术或者溅射方法在玻璃衬底上沉积一层50-100nm高电导的ITO薄膜作为种子诱导层，其通常具有很好的电导率(～10^-4Ωcm)；然后利用MOCVD技术低温生长未掺杂的ZnO薄膜。该方法在很低的温度下即可制备具有良好光散射能力的绒面结构ZnO薄膜；其次在不需要B₂H₆掺杂的情况下，可大幅度降低MOCVD系统生长ZnO薄膜的电阻率(可降至～10^-3Ωcm)。通过后续H₂低压退火可使薄膜的电子迁移率从～18.6cm²/Vs提高到～32.5cm²/Vs(提高～30%)。该方法特别适合大面积ZnO薄膜的制备。