首页> 中国专利> 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法

无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法

摘要

一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状,采用铟压焊技术制作电极,该电极与恒流源和电压表连接;步骤2:将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中;步骤3:测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线,确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度,从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。

著录项

  • 公开/公告号CN100412536C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200510006769.5

  • 申请日2005-02-04

  • 分类号G01N27/14(20060101);G01N27/00(20060101);G01N25/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/14 授权公告日:20080820 申请日:20050204

    专利权的终止

  • 2008-08-20

    授权

    授权

  • 2006-10-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-09

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号