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纳米孔隙形成方法、纳米孔隙形成装置以及生物分子测量装置

摘要

对薄膜施加第1调制电压,将在薄膜中流过的电流的相位相对第1调制电压的相位的变化量与阈值进行比较,在检测到相位的变化量超过阈值时停止施加第1调制电压,从而在薄膜中高速地形成纳米孔隙。

著录项

  • 公开/公告号CN109890497B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社日立高新技术;

    申请/专利号CN201680090509.7

  • 申请日2016-12-09

  • 分类号G01N27/26(20060101);B01J19/08(20060101);B82Y5/00(20110101);C12M1/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人金光华

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:33:45

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