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公开/公告号CN108383133B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 河南理工大学;
申请/专利号CN201810151791.6
发明设计人 胡前库;吴庆华;周爱国;王李波;陈进峰;侯一鸣;秦双红;
申请日2018-02-08
分类号C01B35/14(20060101);
代理机构
代理人
地址 454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号
入库时间 2022-08-23 11:32:45
机译: SN-TI阳极活性材料用于二次电池,包括SN-Ti基陶瓷及其制造方法
机译: 具有结合层的半导体器件及其制造方法,该半导体器件具有结合层,该结合层具有包含Ti的区域和包含Sn的区域,但是基本上不包含包含Ti和Sn的区域
机译:自蔓延高温合成方法在Ti-Sn-C和Ti-Sn-C-TiC系统中不同Sn含量对Ti2SnC形成的影响
机译:以/ spl delta / -FeOOH为前体的助熔剂法制备的(Ni,Ti),(Ni,Sn)和(Zn,Ti)取代钡铁氧体颗粒
机译:Sn含量对Li_4Ti_5O_(12)/ Sn-石墨的合成的影响,通过固态态方法锂离子电池阳极材料
机译:一种拟线性插值方法,用于开发采用VLSI实现的直接数字频率合成器。
机译:合成参数对NSn共促进的纳米TiO2的结构和光学性质的作用:结合的Ti K边缘和Sn L23边缘X射线吸收研究
机译:Ti-sn-C和Ti-sn-C-TiC体系中自蔓延高温合成法测定不同sn含量对Ti2snC形成的影响
机译:非晶态Ni-Ti合金:一种新的合成方法