在多个鳍状物间距结构当中的笔直、高和一致的鳍状物的蚀刻技术

摘要

本发明的实施例描述具有高高宽比鳍状物的半导体设备和用于形成这样的设备的方法。根据实施例，半导体设备包括一个或多个嵌套鳍状物和一个或多个隔离鳍状物。根据实施例，利用硬掩模蚀刻工艺来形成包括一个或多个隔离特征和一个或多个嵌套特征的图案化的硬掩模。第一衬底蚀刻工艺通过将硬掩模的嵌套和隔离特征的图案转移到衬底中到第一深度，来形成在衬底中的隔离和嵌套鳍状物。第二衬底蚀刻工艺用于将衬底蚀刻穿至第二深度。根据本发明的实施例，第一蚀刻工艺利用包括HBr、O₂和CF₄的蚀刻化学剂，且第二蚀刻工艺利用包括Cl₂、Ar和CH₄的蚀刻化学剂。