在微电子器件中形成低带隙源极和漏极结构的方法

摘要

描述了利用设置于源极/漏极结构中的位错来形成应变沟道器件的方法。那些方法/结构可以包括：在器件的衬底中形成源极/漏极区、以及在源极/漏极区中形成合金，其中合金包括将源极/漏极接触部与源极/漏极区之间的带隙减小到大体上为零的材料。本文中的实施例减小了器件的外部寄生电阻。