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基于二阶近似公式的反射面天线表面随机误差分析方法

摘要

本发明公开了一种基于二阶近似公式的反射面天线表面随机误差分析方法,包括:输入反射面天线几何参数与电参数;输入口径面划分环数;输入表面随机误差均方根值;计算每环口径内远区辐射电场;计算环与环之间远区辐射电场;计算理想远区辐射功率;计算理想远区辐射功率平方值;计算辐射功率平均值;计算辐射功率方差;计算辐射功率极值;判断电性能是否满足要求;输出辐射功率方向图;更新表面随机误差均方根值。本发明基于二阶近似公式,从概率的角度获得了反射面天线表面随机误差对电性能的影响,可指导反射面天线面板加工与制造。

著录项

  • 公开/公告号CN107679336B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201710981491.6

  • 申请日2017-10-20

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F30/17(20200101);

  • 代理机构61108 西安吉盛专利代理有限责任公司;

  • 代理人张超

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

  • 入库时间 2022-08-23 11:31:23

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