一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备

摘要

本发明涉及一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备，所述的负微分电阻场效应晶体管包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。与现有技术相比，本发明采用的黑磷烯具有独特的直接带隙半导体的电子特性，沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触，可以形成独特的电子整流和负微分电阻效应，此外，负微分电阻效应在门电压的作用下也比较稳定，与器件的半导体衬底材料无关，该负微分电阻晶体器件优良，结构新颖，可以广泛应用于半导体纳米晶体器件当中。