大面积双面硅漂移探测器的加工工艺

摘要

本发明公开了一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，属于半导体探测器加工技术领域。在制作大面积SDD时按八个步骤进行，包括晶圆吸杂氧化、双面标记制作、正反面P型注入刻蚀、N型阳极注入刻蚀、注入完成后退火、正反面注入区域氧化层全刻蚀、正反面电极制作、快速退火；八个步骤依次进行，最终制得所需要的大面积SDD。本发明能够在大面积双面SDD制作的同时，实现提高晶圆氧化的质量、正反两面的对准精度以及大幅降低引入杂质风险的目的。