公开/公告号CN108873159B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉电信器件有限公司;
申请/专利号CN201810628203.3
申请日2018-06-19
分类号G02B6/12(20060101);H01S3/067(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人胡琦旖
地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
入库时间 2022-08-23 11:27:30
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于将闪存器件与高金属门逻辑器件集成的后处理硅化物结构
机译: 电绝缘体是一种用于制造单片集成电路的平面半导体器件的方法,该平面半导体器件通过介电材料彼此相对并且抵靠半导体的其余区域而具有一半导体部分区域