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半导体晶圆的制造方法

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摘要

在第1工序中，在SiC基板(40)的表面形成凸部(42)并蚀刻该SiC基板(40)。在第2工序中，除去根据MSE法使SiC基板(40)的凸部(42)外延生长而在垂直(c轴)方向大幅地生长的包含螺旋位错的外延层(43a)的至少一部分。在第3工序中，通过在进行了第2工序的SiC基板(40)上再次进行MSE法，使得不包含螺旋位错的外延层(43)彼此在水平(a轴)方向生长而互相以分子层级连接，进而在SiC基板(40)的Si面或C面的全面生成1个大面积的单晶4H‑SiC的半导体晶圆(45)。

著录项

公开/公告号CN108474138B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01

原文格式PDF
申请/专利权人学校法人关西学院;
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申请/专利号CN201680065719.0
发明设计人金子忠昭;久津间保德;芦田晃嗣;
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申请日2016-11-08
分类号C30B29/36(20060101);C30B19/04(20060101);C30B19/12(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳;吕秀平
地址日本兵库县
入库时间 2022-08-23 11:27:23

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