公开/公告号CN108242250B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;
申请/专利号CN201710293413.7
申请日2017-04-28
分类号G11C17/16(20060101);G11C17/18(20060101);G11C5/14(20060101);H01L23/62(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人李昕巍;章侃铱
地址 中国台湾新北市
入库时间 2022-08-23 11:25:54
机译: 具有增强的无熔丝熔断器结构的集成电路,其制造方法以及与该无熔丝熔断器结构一起使用的数据结构
机译: 用于执行稳定的熔断操作的反熔丝电路及其熔断方法
机译: 半导体装置的熔断器以及使用该熔断器的形成方法,能够防止移动中的熔丝残留