首页> 中国专利> 具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法

具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法

摘要

公开了具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法。用于半导体存储器件的感测电路包括具有第一端和第二端的位线、感测线、电流供应单元和感测放大器。多个存储单元连接在第一端与第二端之间。感测线连接到位线的第二端,电流供应单元经由位线的第一端供应感测电流的。当感测电流从位线的第一端流到所选择的存储单元时,感测放大器通过将感测线的感测电压与参考电压相比较来感测存储在所选择的存储单元中的数据。

著录项

  • 公开/公告号CN105702284B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201510919424.2

  • 发明设计人 李宰圭;

    申请日2015-12-11

  • 分类号G11C13/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邵亚丽;贾洪菠

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 11:25:51

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号