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公开/公告号CN105702284B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201510919424.2
发明设计人 李宰圭;
申请日2015-12-11
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邵亚丽;贾洪菠
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 11:25:51
机译: 具有分开的感测电路的半导体存储器件和相关的感测方法
机译: 具有改进的位线感测操作的半导体存储器件以及用于驱动半导体存储器件的位线感测放大器中的功率的方法
机译:低温No2感测RF溅射的SnO-SnO2异质结薄膜具有p型半导体行为的感测性能
机译:通过接近电荷感测像素在Cdznte半导体检测器中进行位置感测
机译:通过使用不同类型的不同正则化术语进行压缩感测方法 - 通过不同类型的正则化术语进行压缩感测方法来重建
机译:一种低相干干涉感测方法,具有电压感测的分析和实验结果
机译:使用纳米线传感器阵列进行化学感测的CMOS电导电路
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机译:基于两个独立信号的碱性磷酸酶从半导体聚合物纳米粒子和MnO2纳米晶体中的两个独立信号对碱性磷酸酶的比率感测
机译:用于通过测量振荡电路的阻抗和谐振频率来感测目标特性的方法和装置