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晶体-取向陶瓷的制造方法以及陶瓷层压材料的制造方法

摘要

本发明提供了一种晶体-取向陶瓷的制备方法,该方法包括片料制备步骤,结晶-促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤,制备生料片1。在结晶-促进层形成步骤,形成包含结晶-促进材料颗粒151的结晶-促进层15,以便其与生料片1接触。在煅烧步骤,对生料片进行煅烧。另外,本发明还提供一种陶瓷层压材料的制备方法,该方法包括层压材料-制备步骤和煅烧步骤。在层压材料-制备步骤,制备其中堆叠有生料片和电极-印刷层的层压材料。形成包含所述结晶-促进材料颗粒的结晶-促进层以便该促进层与生料片接触,所述结晶-促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤,对所述层压材料进行煅烧。

著录项

  • 公开/公告号CN100417621C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社电装;

    申请/专利号CN200610059492.7

  • 发明设计人 门谷成;岩濑昭夫;

    申请日2006-03-13

  • 分类号C04B35/46(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人于辉

  • 地址 日本爱知县

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/46 授权公告日:20080910 终止日期:20130313 申请日:20060313

    专利权的终止

  • 2008-09-10

    授权

    授权

  • 2006-11-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    公开

    公开

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