公开/公告号CN109065368B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;
申请/专利号CN201811025876.6
申请日2018-09-04
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/28(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/40(20130101);H01G11/84(20130101);
代理机构
代理人
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号
入库时间 2022-08-23 11:21:20
机译: 包含二硫化钼的碳纳米结构,包含二硫化钼的碳纳米结构的锂二次电池的制备方法和包含二硫化钼的锂二次电池的制备方法
机译: 含钼二硫化钼的碳纳米纳米结构的制造方法,锂二次电池的阴极,包括含有相同和锂可充电电池产生的钼二硫化钼的碳纳米结构
机译: 二硫化钼复合镀液的制备方法,二硫化钼复合镀方法和镍-二硫化钼复合镀膜