公开/公告号CN107257964B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 优普梅姆公司;
申请/专利号CN201680010586.7
发明设计人 法布里斯·德沃;吉恩-弗朗索瓦·罗伊;
申请日2016-02-12
分类号G06F13/16(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人康建峰;陈炜
地址 法国格勒诺布尔
入库时间 2022-08-23 11:21:07
机译: 双访问DRAM,集成电路存储器以及操作具有多个DRAM子阵列的集成电路存储器的方法
机译: 双访问DRAM,集成电路存储器以及具有多个DRAM子阵列的用于操作集成电路存储器的方法
机译: 双访问DRAM,集成电路存储器以及具有多个DRAM子阵列的操作集成电路存储器的方法