首页> 中国专利> 表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开了一种表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,包括:1)碳化硅晶须表面改性;2)主要原料预分散;3)混料及干燥;4)干磨及过筛造粒;5)压制成型;6)炭化;7)反应烧结,得到碳化硅陶瓷。本发明制备的PyC‑SiCw表面的热解碳涂层在反应烧结过程中与液硅发生反应在PyC‑SiCw表面原位生成一层SiC涂层,SiC涂层将SiCw与高温液硅相互隔离,避免了高温下液硅对SiCw的侵蚀损伤问题,PyC‑SiCw/RBSC陶瓷具有弯曲强度高、断裂韧性大、维氏硬度高的性能特点,是一种力学性能良好的陶瓷基复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110304933B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201910572328.3

  • 申请日2019-06-28

  • 分类号C04B35/81(20060101);C04B35/626(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人姚咏华

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:18:56

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号