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公开/公告号CN108918424B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 金华职业技术学院;
申请/专利号CN201810417270.0
发明设计人 方晓华;张向平;赵永建;
申请日2018-04-24
分类号G01N21/21(20060101);
代理机构
代理人
地址 321017 浙江省金华市婺州街1188号
入库时间 2022-08-23 11:15:48
机译: 包括分别包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储器件和形成包括单独包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储器件的方法
机译: 包括分别包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储装置以及形成包括单独包括具有磁畴壁的多个磁畴的磁道的存储装置的方法
机译: 包括分别包含多个具有畴壁的磁畴的磁道的存储设备和形成包括单独包含多个具有畴壁的磁畴的磁道的存储设备的方法
机译:通过批量成像方法从磁光成像的动态磁畴图像和磁场图像的动态磁畴图像和磁场图像
机译:固定磁场下固定90°磁畴壁的静态特性和电流感应动力学:一种解析方法
机译:磁性聚合物复合材料中的磁畴形成:一种通过随机均质化的方法
机译:磁畴壁逻辑需要新的合成方法
机译:磁畴和磁畴壁
机译:磁性纳米线中的畴壁运动:一种渐近方法
机译:镜头较少的核心成像(LLFI)用于观察磁畴壁的方法
机译:磁畴壁速的基本限制研究。