公开/公告号CN109906511B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201980000361.7
发明设计人 汤召辉;
申请日2019-01-31
分类号H01L27/11582(20170101);H01L27/11556(20170101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人林锦辉
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 11:15:02
机译: 形成没有凹陷引起导体残留的三维存储器件的方法
机译: 形成三维存储器件,没有导体残余引起的凹陷
机译: 用于可理解的制造阳离子光化剂硼酸三铀的可制造的可辐射液体树脂,形成物体和三维物体的液态残留物的三维方法