在双掺杂栅应用中改进轮廓控制和提高N/P负载的方法

摘要

本发明提供了在等离子体蚀刻室中蚀刻多晶硅栅结构的方法。本方法首先限定保护待蚀刻的多晶硅薄膜的图案。然后，产生等离子体。接下来，基本蚀刻掉所有未保护的多晶硅薄膜。然后，引入含硅气体，引入含硅气体的同时蚀刻剩下的多晶硅薄膜。还提供了配置成后在蚀刻过程中引入含硅气体的蚀刻室。