首页> 中国专利> 基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法

基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法

摘要

本发明涉及基于CeO2‑CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法。本发明以CeO2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO2能带匹配良好,使光电转换效率大大提高。二氧化硅‑聚多巴胺‑银纳米复合物具有较大的空间位阻,其次银纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移,使光电响应实现双重减弱,增加了光电响应的变化值,从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同,实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。

著录项

  • 公开/公告号CN109060898B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN201810686904.2

  • 申请日2018-06-28

  • 分类号G01N27/26(20060101);G01N27/327(20060101);

  • 代理机构37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);

  • 代理人高强

  • 地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:14

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号