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公开/公告号CN107993686B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳璞芯智能科技有限公司;
申请/专利号CN201810031515.6
发明设计人 蒲亦非;卢培锋;汪淮;李炳法;蒋怀义;
申请日2018-01-12
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构44248 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙);
代理人胡吉科
地址 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道时尚创意城浪静路11号南国俪人2A201
入库时间 2022-08-23 11:12:11
机译: 一种用于生产场控元件的方法,该场控元件在垂直方向和横向方向上都具有凹入式光栅,包括场效应晶体管-以及可控硅
机译: 压控可变电容元件的等效电路
机译: 带柔性元件的浮控阀
机译:纳米线忆阻器的压控等效电路
机译:一类非理想压控忆阻器的等效实现电路
机译:忆阻器,一种用于计算机内存的纳米级元件:交流驱动忆阻器的一些新成果的迷你回顾
机译:增量式接地压控忆阻器仿真器
机译:一种基于近场扫描的IC辐射等效等效偶极矩源重构方法。
机译:小鼠成纤维细胞中两种血清诱导的RNA的转录调控:一种与B2重复元件的等效性。
机译:忆阻器-一种新的电子电路纳米级元件
机译:用浮区法制备绝缘晶体的新型电子束光学元件