法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22F3/00 授权公告日:20060628 终止日期:20131208 申请日:20041208
专利权的终止
2006-06-28
授权
授权
2005-08-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-08
公开
公开
机译: 具有表层C49相的硅化钛层的半导体装置及其制造方法
机译: 二氧化钛颜料颗粒可用于例如塑料包括覆盖二氧化钛核心颗粒的致密二氧化硅表层,其中致密表层是通过湿化学工艺生产的,并掺杂有诸如氟的掺杂元素
机译: 气相相表层生长装置及使用气相相表层生长装置的加工方法