公开/公告号CN110575989B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 大同新成新材料股份有限公司;
申请/专利号CN201910910319.0
发明设计人 武晨洁;
申请日2019-09-25
分类号B08B3/02(20060101);B08B13/00(20060101);
代理机构11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人申绍中
地址 037002 山西省大同市新荣区花园屯村
入库时间 2022-08-23 11:07:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-28
授权
授权
2020-01-10
实质审查的生效 IPC(主分类):B08B3/02 申请日:20190925
实质审查的生效
2019-12-17
公开
公开
机译: 多晶硅的生产工序中的硅直径与第三步骤中的预定时间
机译: 在光刻和蚀刻技术中生产的基于硅的生物芯片,可用于生物和医学分析,该芯片包含多个单独的凹槽,这些凹槽沉积在例如硅片上。硅基芯片的硅层
机译: 物料进料到硅中以生产多晶硅或浮区硅锭,由Czochralski固化的方向,叶片或硅带,用于生产太阳能电池硅晶片及其生产方法,以及硅锭切克劳斯基固化的Direcionalmente,或层压板或胶带,以生产用于太阳能电池的颗粒