公开/公告号CN107004591B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-01
原文格式PDF
申请/专利权人 佳能安内华股份有限公司;
申请/专利号CN201580057360.8
申请日2015-10-02
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 10:57:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
授权
授权
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/302 申请日:20151002
实质审查的生效
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/302 申请日:20151002
实质审查的生效
2017-08-01
公开
公开
2017-08-01
公开
公开
2017-08-01
公开
公开
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机译: 离子枪,离子束蚀刻装置,离子束蚀刻设备,蚀刻方法以及磁记录介质的制造方法
机译: 包括用于提取离子束的狭缝结构的离子束设备,使用该离子束设备的蚀刻方法以及使用该离子束设备制造磁存储器件的方法
机译: 包括用于提取离子束的杆结构的离子束装置,使用该离子束装置的蚀刻方法以及使用离子束装置制造磁存储器的方法