非分段GaN HEMT模型的建立方法

摘要

本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源I_DS、栅漏电容C_GD、栅源电容C_GS和漏源电容C_DS；根据I_DS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据C_GD、C_GS和C_DS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。