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单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法

摘要

本公开提供了一种单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法,包括:获得包括透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的光波导共振芯片,其中,待测多孔膜作为导波层,能够承载至少两个横电导模或至少两个横磁导模;在给定测试条件下获取光波导共振芯片的单个实测共振光谱,使得该实测共振光谱包含至少两个共振峰或至少两个共振谷;通过在给定测试条件下对其中k个共振峰或k个共振谷分别进行仿真拟合,k≥2,以求取分别满足k个导模的共振条件下,表征待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的函数;同时满足至少两个函数的孔隙率和厚度即为待测多孔膜的孔隙率和厚度。本公开只需获取一个实测共振光谱即可同时测得多孔膜的孔隙率和厚度,测量方法简单,测量精度高。

著录项

  • 公开/公告号CN108332674B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电子学研究所;

    申请/专利号CN201810143998.9

  • 申请日2018-02-11

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人曹玲柱

  • 地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号

  • 入库时间 2022-08-23 10:48:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    授权

    授权

  • 2018-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/06 申请日:20180211

    实质审查的生效

  • 2018-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/06 申请日:20180211

    实质审查的生效

  • 2018-07-27

    公开

    公开

  • 2018-07-27

    公开

    公开

  • 2018-07-27

    公开

    公开

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