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具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法

摘要

本发明公开了一种具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法,其利用聚合物分子链侧基的可设计性,在侧基苯环或联苯基链段结构间位引入直链刚性基团,通过侧基苯环的松弛旋转在材料中形成更大尺寸的自由体积空穴,抑制分子链堆积,进而降低聚合物材料介电常数。本发明的设计方法简单,适用于常见的高性能聚合物材料,可应用于制备低介电聚合物材料,适用于电子、微电子、信息以及航空航天等高新技术产业领域,特别是超大规模集成电路领域。

著录项

  • 公开/公告号CN107057065B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201710083465.1

  • 申请日2017-02-16

  • 分类号C08G73/10(20060101);C08L79/08(20060101);

  • 代理机构44100 广州新诺专利商标事务所有限公司;

  • 代理人周端仪

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 10:48:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-14

    授权

    授权

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G73/10 申请日:20170216

    实质审查的生效

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 73/10 申请日:20170216

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

    公开

  • 2017-08-18

    公开

    公开

  • 2017-08-18

    公开

    公开

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