公开/公告号CN106575673B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 因森斯股份有限公司;
申请/专利号CN201580042506.1
申请日2015-06-10
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:47:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-14
授权
授权
2017-05-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/84 申请日:20150610
实质审查的生效
2017-05-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/84 申请日:20150610
实质审查的生效
2017-04-19
公开
公开
2017-04-19
公开
公开
机译: 晶圆级单片CMOS集成在密封腔中基于自由和非自由的基于金属和金属合金的MEMS结构
机译: 晶圆级单片CMOS集成的密封腔中基于自由和不自由的基于金属和金属合金的MEMS结构
机译: 晶圆级单片CMOS集成,在密封腔中集成基于自由和非自由的基于金属和金属合金的MEMS结构