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密封腔体中的独立式和非独立式的基于金属和金属合金的MEMS结构的晶片级单片CMOS集成及其形成方法

摘要

提供了在平坦化CMOS基板上直接制造的金属MEMS结构的组装件,其含有特定用途集成电路(ASIC),通过ASIC互连层上的直接沉积和随后的微制造步骤制造,具有用于封装的集成的盖帽。MEMS结构包括至少一个MEMS装置元件,具有或不具有利用经由ASIC的金属互连体提供的电接触安置在CMOS ASIC晶片上的可移动部分。MEMS结构也可以由合金、导电氧化物、或几种的组合制成。通过CMOS基板的后加工中限定的接合垫来完成提供密封腔体的集成的盖帽、或在CMOS基板上直接制造集成的盖帽。

著录项

  • 公开/公告号CN106575673B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因森斯股份有限公司;

    申请/专利号CN201580042506.1

  • 发明设计人 N.塔耶比;H.罗;

    申请日2015-06-10

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邱军

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:47:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-14

    授权

    授权

  • 2017-05-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/84 申请日:20150610

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/84 申请日:20150610

    实质审查的生效

  • 2017-04-19

    公开

    公开

  • 2017-04-19

    公开

    公开

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