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基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法

摘要

本发明公开了一种基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法,该方法包含以下步骤:第一步:提供生产单晶金刚石的合成装置和固定样品台;第二步:将成捆头发丝插入固定样品台上的插口中,将固定样品台放入反应腔内,向腔体内通入氢气形成等离子体,利用等离子体对头发丝进行灼烧,使其气化;第三步,将气化的气体收集并纯化后通入另一反应腔内;第四步:沉积单晶金刚石完成。本发明利用微波等离子体化学气相沉积法高温灼烧头发丝使其气化,利用其碳源生产单晶金刚石,并获得了质量较好的单晶金刚石。

著录项

  • 公开/公告号CN108070842B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉工程大学;

    申请/专利号CN201711353968.2

  • 发明设计人 马志斌;夏禹豪;

    申请日2017-12-15

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人崔友明

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

  • 入库时间 2022-08-23 10:46:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    授权

    授权

  • 2018-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/27 申请日:20171215

    实质审查的生效

  • 2018-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20171215

    实质审查的生效

  • 2018-05-25

    公开

    公开

  • 2018-05-25

    公开

    公开

  • 2018-05-25

    公开

    公开

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