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硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜

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本发明公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ

著录项

公开/公告号CN108227048B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05

原文格式PDF
申请/专利权人河南师范大学;
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申请/专利号CN201810078435.6
发明设计人路海;董超;张军;夏世强;沈克胜;熊宗刚;张现周;
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申请日2018-01-26
分类号
代理机构新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人路宽
地址 453007 河南省新乡市牧野区建设东路46号
入库时间 2022-08-23 10:42:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-05

授权

授权
2019-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/115 申请日:20180126

实质审查的生效
2019-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/115 申请日:20180126

实质审查的生效
2018-06-29

公开

公开
2018-06-29

公开

公开
2018-06-29

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1. 硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜 [P] . 中国专利： CN108227048B . 2019.11.05
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