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双端口静态存储器单元和包括该单元的半导体存储器装置

摘要

本发明涉及一种双端口静态存储器单元和包括该单元的半导体存储器装置,双端口静态存储器单元包括连接在位线和第一结点间的第一传输门、连接在补充位线和第二结点间的第二传输门、连接在第一结点和第二结点间的锁存器以及连接在第二结点和扫描位线间的PMOS晶体管,其中第一传输门的栅极连接至字线,第二传输门的栅极连接至字线,PMOS晶体管的栅极连接至扫描控制线。

著录项

  • 公开/公告号CN100341074C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03147180.3

  • 发明设计人 金泰亨;宋泰中;

    申请日2003-07-08

  • 分类号G11C11/413(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李晓舒;魏晓刚

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-10-03

    授权

    授权

  • 2004-04-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-02-04

    公开

    公开

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