法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
授权
授权
2017-10-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N30/02 申请日:20170327
实质审查的生效
2017-10-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 30/02 申请日:20170327
实质审查的生效
2017-09-12
公开
公开
2017-09-12
公开
公开
2017-09-12
公开
公开
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机译: 用于制造单晶的杂质量控制系统和用于制造单晶的杂质量控制方法
机译: 用于制造单晶的杂质量控制系统和用于制造单晶的杂质量控制方法
机译: 具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散