法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 7/12 授权公告日:20070829 终止日期:20100823 申请日:20050823
专利权的终止
2007-08-29
授权
授权
2006-05-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-03-22
公开
公开
机译: 激光二极管模块多层基板和激光二极管模块
机译: 具有减小的器件电阻并且能够执行高输出操作的表面发射激光二极管,表面发射激光二极管阵列,电子照相系统,表面发射激光二极管模块,光通信系统,使用该表面发射激光二极管的光学互连系统以及表面发射激光二极管的制造方法
机译: 具有减小的器件电阻并且能够执行高输出操作的表面发射激光二极管,表面发射激光二极管阵列,电子照相系统,表面发射激光二极管模块,光通信系统,使用该表面发射激光二极管的光学互连系统以及表面发射激光二极管的制造方法