法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-09
授权
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/15 申请日:20170111
实质审查的生效
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/15 申请日:20170111
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
2017-05-31
公开
公开
机译: /异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译: 形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
机译: 形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构