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FPGA片内SRAM的时序处理方法、片内SRAM及FPGA

摘要

本发明提供一种FPGA片内SRAM的时序处理方法、片内SRAM及FPGA。所述方法包括:地址译码器对输入的地址信号进行逻辑译码,选中所述地址信号指向的存储器阵列中的存储单元,以使被选中的存储单元经读写控制电路与输入寄存器、输出寄存器接通;读写控制电路确定对所述被选中的存储单元执行读操作或写操作;当对所述被选中的存储单元执行读操作时,输出寄存器在时钟信号的下降沿将数据读出。本发明能够消除FPGA片内SRAM采用传统流水线型SRAM执行读操作时输出存在的一个时钟周期的初始延迟,同时不影响原有的时序性能。

著录项

  • 公开/公告号CN106158012B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市紫光同创电子有限公司;

    申请/专利号CN201610523162.2

  • 发明设计人 夏钊;霍杰;

    申请日2016-07-05

  • 分类号G11C11/413(20060101);G11C7/22(20060101);

  • 代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;

  • 代理人张瑾

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区科技南八道豪威科技大厦16层

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-16

    授权

    授权

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/413 申请日:20160705

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20160705

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

  • 2016-11-23

    公开

    公开

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