一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件

摘要

本发明提供了一种单片集成器件的制作方法，包括：选择一衬底；在衬底上外延生长多量子阱有源区；在多量子阱有源区上刻蚀光栅层和相位层，并对接生长无源波导层；在无源波导层上制作光栅；在多量子阱有源区上刻蚀电吸收调制区，并对接生长电吸收调制层；在多量子阱有源区、无源波导层、光栅和电吸收调制层上生长光限制脊波导层；在光限制脊波导层上生长电接触层；在电接触层上制作P电极；在衬底背面制作N电极；将经操作后的衬底解理成条状且一端蒸镀高反射膜、另一端蒸镀抗反射薄膜，并解理成单个管芯，进行封装。本发明提供的制作方法，能够有效地解决了TWDM‑PON的核心半导体光电子集成芯片和封装技术的问题。