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树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体

摘要

本发明涉及树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体,包括以下步骤:树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备、色氨酸对映体的电化学识别、色氨酸对映体的识别重现性。本发明的有益效果:二氧化硅的刚性较强,从而在识别与再生的过程中,印迹空腔不容易发生变形和塌陷,且非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚含有大量的含氧官能团,因此C20聚氧乙烯醚可通过氢键作用诱导分子印迹二氧化硅在氧化铟锡电极表面生长,这有利于分子印迹二氧化硅电化学识别氨基酸对映体。

著录项

  • 公开/公告号CN107238644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州大学;

    申请/专利号CN201710323930.4

  • 发明设计人 孔泳;张洁;顾嘉卫;

    申请日2017-05-08

  • 分类号G01N27/327(20060101);G01N27/48(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:34:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    授权

    授权

  • 2017-11-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/327 申请日:20170508

    实质审查的生效

  • 2017-11-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/327 申请日:20170508

    实质审查的生效

  • 2017-10-10

    公开

    公开

  • 2017-10-10

    公开

    公开

  • 2017-10-10

    公开

    公开

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