首页> 中国专利> 一种用于增强磁聚焦型霍尔推力器离子束聚焦的结构及该结构的设计方法

一种用于增强磁聚焦型霍尔推力器离子束聚焦的结构及该结构的设计方法

摘要

一种用于增强磁聚焦型霍尔推力器离子束聚焦的结构及该结构的设计方法,涉及航天电推进霍尔推力器束聚焦控制领域,为了解决聚焦离子束会被外场破坏的问题。在霍尔推力器的外场构建磁场,外场的磁场与霍尔推力器内部线圈形成的磁场的磁分界面为直筒式,阴极小孔位于内磁镜区。本发明能有效约束住无源等离子体射束的径向发散,从而增强束聚焦的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN108167149B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201711434603.2

  • 发明设计人 于达仁;孟天航;宁中喜;

    申请日2017-12-26

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人毕雅凤

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:31:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):F03H1/00 申请日:20171226

    实质审查的生效

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):F03H1/00 申请日:20171226

    实质审查的生效

  • 2018-06-15

    公开

    公开

  • 2018-06-15

    公开

    公开

  • 2018-06-15

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号