提高了可冗余补救的概率的非易失性半导体存储器

摘要

在MRAM的存储单元阵列中，借助于将正常存储单元与保持基准值的基准存储单元进行比较，使每一个单元存储1位数据。备用存储单元用2个单元存储1位数据。在备用存储单元的2个单元中写入互补的数值，借助于将这2个单元与读出放大器连接，来读出所存储的1位数据。多配置在阵列周边部分的备用存储单元部分抗元件完成后的尺寸离散性的能力增强，可以提高置换成备用存储单元进行补救时的成功率。