首页> 中国专利> 光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法

摘要

一种光电子半导体芯片(100),包括基本体,所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1),所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外,半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20,21),经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外,半导体芯片(100)具有两个接触元件(40,41),所述接触元件施加在接触面(20,21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40,41)构成为印制导线,所述印制导线从接触面(20,21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。

著录项

  • 公开/公告号CN107431118B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 欧司朗光电半导体有限公司;

    申请/专利号CN201680021246.4

  • 发明设计人 西格弗里德·赫尔曼;

    申请日2016-03-29

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁永凡

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2022-08-23 10:30:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-26

    授权

    授权

  • 2017-12-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/62 申请日:20160329

    实质审查的生效

  • 2017-12-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/62 申请日:20160329

    实质审查的生效

  • 2017-12-01

    公开

    公开

  • 2017-12-01

    公开

    公开

  • 2017-12-01

    公开

    公开

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